深圳新聞網(wǎng)2025年10月18日訊(記者 李豫軍)10月15日,2025灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會(灣芯展)在深圳會展中心(福田)盛大啟幕。在這場匯聚600余家全球半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)的行業(yè)盛會上,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(簡稱“深圳綜合平臺”)攜多項核心技術(shù)成果驚艷亮相,以“開放共享”之姿,為破解產(chǎn)業(yè)“卡脖子”難題注入強勁動能。
技術(shù)成果發(fā)布:不只是領(lǐng)先,更是“破局”
功率半導(dǎo)體是現(xiàn)代電力電子器件、射頻器件的“核心潛力股”,尤其在高壓、高頻、大功率場景中不可或缺。從碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)到氧化鎵、金剛石等超寬禁帶材料,半導(dǎo)體技術(shù)正不斷突破天花板。
深圳綜合平臺作為全球首個集科研與中試于一體的8吋先進功率半導(dǎo)體開放共享平臺,已構(gòu)建從研發(fā)到產(chǎn)業(yè)化的全鏈條能力,設(shè)立四大中心,服務(wù)超30家合作伙伴、10家中試客戶、45家檢測客戶,并與8所高校開展科研合作或共建聯(lián)合實習(xí)基地。
2025年,平臺完成技術(shù)平臺1.0,實現(xiàn)多項關(guān)鍵技術(shù)突破:
襯底加工:率先實現(xiàn)碳化硅激光剝離技術(shù),8吋單片總損耗<75μm,切割時間≤20分鐘,成本降低26%,整體性能達到國際領(lǐng)先水平。
碳化硅外延:突破200μm超厚膜缺陷控制技術(shù),并在商用4°偏角襯底上首次實現(xiàn)3C-SiC高質(zhì)量外延生長,為解決柵氧遷移率難題開辟新路徑。
1200V SiC平面柵與溝槽柵:突破超窄元胞結(jié)構(gòu)、超高深寬比工藝等關(guān)鍵技術(shù),器件性能達到業(yè)界先進水平,并構(gòu)建全流程自主可控8英寸溝槽柵工藝平臺。
GaN外延與器件:高壓1200V外延達到國際先進水平,面向車規(guī)應(yīng)用;低壓15-40V外延突破選區(qū)二次外延技術(shù),為AI供電芯片掃清障礙。
全系GaN器件平臺:在25V至650V電壓范圍實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先,關(guān)鍵技術(shù)全面突破。
平臺還自研業(yè)界首臺多功能超寬禁帶材料表征系統(tǒng),并基于國產(chǎn)材料制備出國內(nèi)首個氮化鋁/富鋁鎵氮HMET器件。同時,自主仿真設(shè)計平臺與PDK 0.5版本也已上線,為芯片設(shè)計企業(yè)提供堅實支撐。
未來,平臺進一步提升功率密度和器件可靠性,同時在第四代器件方面取得突破,如推出GaN/SiC混合場效應(yīng)晶體管、SiC 20kV IGBT等。
生態(tài)共建:14家伙伴簽約,EDA平臺正式啟用
獨行快,眾行遠。展會期間,深圳綜合平臺與14家產(chǎn)業(yè)鏈伙伴完成合作簽約,覆蓋材料、器件、工藝與應(yīng)用全環(huán)節(jié),推動技術(shù)成果加速落地。
同時,在國創(chuàng)中心總部指導(dǎo)下,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心EDA設(shè)計公共平臺正式揭牌啟用。該平臺將直面設(shè)計與流片驗證的“卡點”,助力客戶基于國產(chǎn)EDA工具與中試線完成芯片驗證,打造自主可控的設(shè)計仿真支撐體系。

國產(chǎn)裝備集體亮相:123臺設(shè)備完成驗證,16臺為首臺套
在國產(chǎn)化進程中,深圳綜合平臺攜手北京北方華創(chuàng)、大族半導(dǎo)體、上海精測等13家國產(chǎn)設(shè)備商,共同點亮16臺國產(chǎn)首臺(套)設(shè)備標(biāo)識,標(biāo)志著8吋寬禁帶半導(dǎo)體國產(chǎn)工藝設(shè)備驗證成果正式發(fā)布。
截至目前,平臺已完成123臺套國產(chǎn)設(shè)備的驗證與熟化,其中16臺為細(xì)分領(lǐng)域首臺套,關(guān)鍵材料國產(chǎn)化驗證率高達96%,有力推動產(chǎn)業(yè)鏈自主可控。
開放共享,共創(chuàng)“芯”未來
此次灣芯展之行,深圳綜合平臺不僅展示了技術(shù)平臺1.0的硬核實力,更通過EDA平臺啟用、國產(chǎn)設(shè)備驗證、PDK/MPW發(fā)布等舉措,彰顯其推動中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控與高質(zhì)量發(fā)展的決心。未來,平臺將繼續(xù)秉持開放理念,與全球伙伴攜手,共創(chuàng)半導(dǎo)體新未來。